专利名称： 一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质
公开（告）号： CN1844044
申请（专利）号： 200610042720.X
发明（设计）人： 李盛涛;成鹏飞
(申请)专利权（人）： 西安交通大学
内容：（摘要）本发明公开了一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质，按摩尔百分比，包括下述组分：ZnO为91～98％；Bi2O3、Cr2O3、Co2O3、Ni2O3、 MnCO3和SiO2各为0.1～1.0％；H3BO3为0.01～0.2％，Al(NO3)3·9H2O为 0.001～0.01％；Sb2O3为0.5～2％；稀土氧化物Ce2O3或Gd2O3，其含量为0.1～ 1.0％。本发明通过对稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3单掺杂和双掺杂，并调整掺杂含量的合理比例，在1100～1180℃烧结得到的陶瓷介质，电位梯度可提高到500V/mm以上。本发明的压敏陶瓷介质可用于制造超/特高压电力系统的优质避雷器产品。
主权项：一种稀土氧化物掺杂的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质，其特征是，按摩尔百分比，包括下述组分：ZnO为91～98％；Bi2O3、Cr2O3、Co2O3、Ni2O3、 MnCO3和SiO2各为0.1～1.0％；H3BO3为0.01～0.2％，Al(NO3)3·9H2O为 0.001～0.01％；Sb2O3为0.5～2％；稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3的一种或两种，其含量各为0.1～1.0％。
