专利名称： 晶体-取向陶瓷的制造方法以及陶瓷层压材料的制造方法
公开（告）号： CN1830895
申请（专利）号： 200610059492.7
发明（设计）人： 门谷成;岩濑昭夫
(申请)专利权（人）： 株式会社电装
内容：（摘要）本发明提供了一种晶体-取向陶瓷的制备方法，该方法包括片料制备步骤，结晶-促进层形成步骤和煅烧步骤。在片料制备步骤，制备生料片1。在结晶-促进层形成步骤，形成包含结晶-促进材料颗粒151 的结晶-促进层15，以便其与生料片1接触。在煅烧步骤，对生料片进行煅烧。另外，本发明还提供-种陶瓷层压材料的制备方法，该方法包括层压材料-制备步骤和煅烧步骤。在层压材料-制备步骤，制备其中堆叠有生料片和电极-印刷层的层压材料。形成包含所述结晶-促进材料颗粒的结晶-促进层以便该促进层与生料片接触，所述结晶-促进材料颗粒在煅烧期间使得多晶物质中的晶粒生长。在煅烧步骤，对所述层压材料进行煅烧。
主权项：一种晶体-取向陶瓷的制造方法，所述陶瓷由包含作为主要成分的钙钛矿结构(ABO3)的多晶物质组成，并且其中构成该多晶物质的每个晶粒的晶面是取向的，该方法包括： 制造由压电材料组成的生料片的片料制备步骤，所述生料片通过煅烧形成所述钙钛矿结构的所述多晶物质， 形成包含结晶-促进材料颗粒的结晶促进层以便其与所述生料片接触的结晶-促进层形成步骤，所述结晶-促进材料颗粒使得所述多晶物质中的晶粒能够在煅烧时生长，和 通过对其上形成所述结晶-促进层的所述生料片进行煅烧制造所述晶体-取向陶瓷的煅烧步骤。
