专利名称： 梭式窑可控制还原气氛烧制陶瓷方法
公开（告）号： CN1834063
申请（专利）号： 200610034770.3
发明（设计）人： 张海文;曾令可;罗民华;王 慧;刘平安;
(申请)专利权（人）： 华南理工大学
内容：（摘要）本发明提供梭式窑可控制还原气氛烧成陶瓷方法，步骤包括升温、干燥、烧成、保温、冷却、出窑，在梭式窑温度为500～1400℃，保温30～60分钟时，将盛有水敞口容器置于梭式窑下方的吸火口处，敞口容器的面积不小于吸火口的垂直投影面积。本方法可以很好的避免烧制陶瓷时的高温氧化问题，大大提高青瓷产品的质量，节约燃料、减少污染；并且具有成本低，易操作等优点。
主权项：梭式窑可控制还原气氛烧成陶瓷方法，步骤包括升温、干燥、烧成、保温、冷却、出窑，其特征在于：在梭式窑温度为500～1400℃，保温30～60分钟时，将盛有1～2升水的敞口容器置于梭式窑下方的吸火口处，敞口容器的面积不小于吸火口的垂直投影面积。
