一种Al*O*-SiC-C铁沟浇注料的制备方法
专利号: 200410012778
申请日: 2004年2月27日
公开/公告日: 2005年8月31日
申请人/专利权人: 武汉科技大学
国家/省市: 武汉(83)
发明/设计人: 顾华志、汪厚植、张文杰、吴峰、董西岳、吕春燕
专利类型: 发明
公开号: 1661117
权利要求：一种Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］－ＳｉＣ－Ｃ铁沟浇注料的制备方法，其特征在于采用电熔致密刚玉和ＳｉＣ为骨料，基质部分包括刚玉粉、超细粉、高铝水泥，以及氮化硅、金属硅，外加分散剂，加水搅拌后，浇注成型、养护、干燥。
摘要：本发明涉及一种高炉出铁沟的耐火材料的制备方法。其技术方案是：采用电熔致密刚玉和ＳｉＣ为骨料，基质部分包括刚玉粉、超细粉、高铝水泥，以及氮化硅、金属硅，外加分散剂。其中：电熔致密刚玉为７０～８０％，ＳｉＣ为８～１５％，超细粉为５～１０％，高铝水泥为１～５％，氮化硅２～１５％，金属硅为１～１１％，分散剂为０．１～０．３％。加水搅拌后，浇注成型、养护、干燥。本发明通过调整Ｓｉ、Ｓｉ＜ｓｕｂ＞３＜／ｓｕｂ＞Ｎ＜ｓｕｂ＞４＜／ｓｕｂ＞的加入量，利用原位反应生成Ｓｉａｌｏｎ基质结合相，制造的Ｓｉａｌｏｎ增强Ａｌ＜ｓｕｂ＞２＜／ｓｕｂ＞Ｏ＜ｓｕｂ＞３＜／ｓｕｂ＞－ＳｉＣ－Ｃ铁沟浇注料易施工，强度高，且具有优良的抗铁水、熔渣的侵蚀、渗透、冲刷性能。通铁量比该炉同类料提高３０％以上。
